昇圧コンバータのデューティ比と電流応力シミュレーター 一覧へ
対話型シミュレーター

昇圧コンバータのデューティ比と電流応力シミュレーター

デューティ比曲線、インダクタ電流、素子ストレスを並べ、昇圧比を上げたときの負担を確認します。

パラメータ入力
入力電圧 Vin
V

コンバータ入力電圧です。

デューティ D
-

スイッチON時間の割合です。

インダクタ L
µH

インダクタンスです。

周波数 fs
kHz

スイッチング周波数です。

負荷電流
A

出力側の平均負荷電流です。

計算結果(ライブ)
プリセット:
出力電圧 Vout
昇圧比 Vout/Vin
インダクタ平均電流
電流リップル ΔIL
デューティ D
スイッチ状態
回路とスイッチング電流(アニメーション)
インダクタ電流波形(三角リップル)
Vout–D 曲線と動作点
理論・主要公式

$$V_o=\frac{V_i}{1-D},\qquad \Delta I_L=\frac{V_i\,D}{L\,f_s}$$

連続導通モード(CCM)の理想昇圧式。スイッチONの間(時間 $DT$)インダクタには $V_i$ がかかり電流が傾き $V_i/L$ で上昇、OFFの間($(1-D)T$)はダイオードを通じて出力へ電流を流し、傾き $-(V_o-V_i)/L$ で下降します。平衡状態では上昇分と下降分が等しく、これが $V_o=V_i/(1-D)$ を与えます。リップル $\Delta I_L$ は $L$ と $f_s$ を上げるほど小さくなります。理想式は損失を無視するため、実設計ではダイオード/同期整流損失、インダクタ飽和、制御安定性、スイッチ定格を確認します。

昇圧コンバータとは

昇圧(ブースト)コンバータは、入力直流電圧 $V_i$ よりも高い出力直流電圧 $V_o$ を作るスイッチング電源回路です。インダクタ・スイッチ(MOSFET)・ダイオード・出力コンデンサの4要素で構成され、スイッチを高速にON/OFFすることでインダクタにエネルギーを蓄え、それを出力側へ「汲み上げ」ます。出力電圧は理想的にはデューティ比 $D$ だけで決まり、$V_o=V_i/(1-D)$ となります。たとえば $D=0.5$ なら2倍、$D=0.8$ なら5倍に昇圧されます。本シミュレーターはこのスイッチング動作そのものをアニメーションで可視化し、インダクタ電流が三角波状に増減しながら出力電圧を持ち上げる様子をリアルタイムに示します。

読み取り方

回路図ではスイッチON期間(緑)にインダクタへ電流が流れ込み充電され、OFF期間(黄)にダイオード経由で出力へ放電される経路がハイライトされます。

電流波形図ではインダクタ電流の三角リップル ΔIL が見えます。Dが大きいほど、またLやfsが小さいほどリップルが拡大します。

Vout–D曲線では現在の動作点が示され、Dが1に近づくほど出力電圧が急上昇する非線形性が一目で分かります。

会話で学ぶ昇圧コンバータのデューティ比と電流応力

🙋
昇圧コンバータのデューティ比と電流応力では、まずどこを見ればいいですか?入力電圧 Vinを動かすと図も数値も同時に変わるので、少し迷います。
🎓
最初は理想出力電圧を見ます。ただし数字だけで判断せず、昇圧デューティ曲線で前提の形や状態を確認し、インダクタ電流で分布や変化の出方を合わせて読みます。デューティ曲線ではDが1に近づくほど出力電圧が急増します。
🙋
入力電圧 Vinを大きくすると理想出力電圧が変わりそうなのは分かります。では、デューティ Dはどのくらい効いていると考えればいいですか?
🎓
デューティ Dを少しずつ動かしてインダクタ電流リップルの動きを見ると、支配している項が見えてきます。理想昇圧式では損失を無視します。実設計ではダイオード/同期整流損失、インダクタ飽和、制御安定性、スイッチ定格を確認します。 1点の計算で終わらせず、実際にばらつきそうな範囲を往復させるのが大事です。
🙋
素子ストレスは何を見るための図ですか?普通のグラフだけでも判断できそうに見えます。
🎓
素子ストレスは、危険側に入る境界や、余裕が急に崩れる組み合わせを探すための図です。電流図ではインダクタリップルが大きすぎないかを見ます。 例えばDC-DC昇圧回路の初期定数設計では、単一点の値より「少し条件がずれたらどうなるか」が効きます。
🙋
では、理想出力電圧が基準内なら、この条件をそのまま採用してよいですか?
🎓
ここでは初期検討として扱います。インダクタ飽和電流とリップルの見積もりや高デューティ運転の危険側確認には役立ちますが、最終判断では規格値、実測値、詳細解析、メーカー条件で確認してください。ストレス図では昇圧比が素子電圧定格を押し上げる点を確認します。

物理モデルと主要な数式

CCM(連続導通モード)における電圧平衡(ボルト秒平衡)から導かれます。スイッチON時間 $DT$ の間、インダクタには $V_i$ が印加され電流は $\Delta I_L = V_i D/(L f_s)$ だけ上昇します。OFF時間 $(1-D)T$ の間は $-(V_o-V_i)$ が印加され同じ量だけ下降します。定常では正味の電流変化がゼロになるため $V_i D = (V_o-V_i)(1-D)$ が成立し、整理すると次式を得ます。

$$V_o=\frac{V_i}{1-D},\qquad \Delta I_L=\frac{V_i\,D}{L\,f_s},\qquad I_{L,\text{avg}}=\frac{I_{out}}{1-D}$$

インダクタの平均電流は入力電流に等しく、出力電流より $1/(1-D)$ 倍大きくなります。これが高昇圧時に素子の電流ストレスが急増する理由です。CCM/DCM境界は $\Delta I_L/2 = I_{L,\text{avg}}$ で判定し、平均電流がリップル半分を下回ると不連続導通モード(DCM)に移行します。

実世界での応用

DC-DC昇圧回路の初期定数設計(インダクタ・スイッチ・ダイオードの選定)。

LEDドライバ、太陽光MPPT、車載48V→高電圧化、バッテリ昇圧など。

インダクタ飽和電流とリップルの見積もり、高デューティ運転の危険側確認。

よくある誤解と注意点

D=1に近づければ無限に昇圧できるわけではありません。実回路では損失により昇圧比は頭打ちになり、効率が急落します。

リップルは「小さければ良い」ではなく、L・コンデンサ体積とのトレードオフです。一般にΔIL≈出力電流の30〜40%が目安です。

軽負荷ではDCMに入り、出力電圧式が $V_o=V_i/(1-D)$ から外れます。CCM余裕の確認が必須です。

関連する工学分野

パワーエレクトロニクス、磁気部品設計、制御理論(電流/電圧モード制御)、EMC/熱設計。

発展的な学習のために

同期整流昇圧、インターリーブ昇圧、平均電流モデルと小信号伝達関数(右半平面ゼロ)、ピーク電流モード制御へと発展します。

よくある質問

理想出力電圧とインダクタ電流リップルを先に見ます。次に昇圧デューティ曲線で前提の状態を確認し、インダクタ電流で分布や変化の偏りを読みます。デューティ曲線ではDが1に近づくほど出力電圧が急増します。
入力電圧 Vinを単独で動かしたあと、デューティ Dも同じ幅で動かして理想出力電圧の変化量を比べます。素子ストレスを見ると、どの組み合わせで余裕や性能が急に変わるかを把握できます。
DC-DC昇圧回路の初期定数設計に使います。単一点の数値ではなく、入力範囲を少し広げて理想出力電圧の余裕が保てるかを確認すると、詳細解析へ進む前の論点整理に役立ちます。
理想昇圧式では損失を無視します。実設計ではダイオード/同期整流損失、インダクタ飽和、制御安定性、スイッチ定格を確認します。最終判断では規格値、実測値、詳細解析、メーカー条件を確認してください。

使い方ガイド

  1. 入力電圧Vin(例:12V)とスイッチング周波数(例:100kHz)を設定します
  2. デューティ比Dを0.05~0.9の範囲で変化させ、理想出力電圧Vo=Vin/(1-D)の変化を観察します
  3. インダクタンス値(例:10μH)を入力し、インダクタ電流リップルΔIL=Vin・D/(L・f)がデューティ比増加で拡大する挙動を確認します
  4. スイッチ電圧ストレスVsw=Vo(昇圧時はMOSFET drain-source間電圧)とCCM連続導通モード限界電流を表示値から読み取ります

具体的な計算例

入力Vin=24V、インダクタL=22μH、周波数f=80kHz、デューティ比D=0.6で昇圧コンバータを設計する場合:理想出力電圧Vo=24/(1-0.6)=60V、インダクタ電流リップルΔIL=24×0.6/(22μH×80kHz)=8.18A、スイッチ電圧ストレス60Vとなります。このときCCM境界電流(ΔIL/2)は4.09Aです。D=0.75に上昇させるとVo=96V、ΔIL=10.23Aへ増加するため、スイッチ/ダイオード定格とリップル許容値を別途確認してください。

実務での注意点