近场测量 — CAE术语解释

近场测量是使用探针对天线或基板附近的电磁场分布进行扫描测量的手法。也可以将其转换为远场的辐射方向图（NF2FF转换）。相比电波暗室设备规模更小，是其优势所在。在EMC评估和天线开发中广泛应用。

有电场探针（偶极子型）和磁场探针（环形型）两种。在基板EMI调试中，使用磁场环形探针对电流路径进行扫描以识别噪声源，这是一种标准做法。

在测量面（基板上方几毫米等）的相同位置输出CAE的电磁场分布，然后比较幅度和相位的分布图案。通过将频率相同的磁场等高线图叠加，可以一目了然地验证CAE模型的有效性。

在EMC领域，电缆、连接器和屏蔽的微小缝隙对辐射有重大影响。CAE很难完全重现这些微细的制造偏差和结构细节。特别是在认证测试前，必须通过实测进行确认。使用CAE确定设计方向，然后用实测进行最终验证，这是实务中最实用的做法。

掌握近场测量的原理后，测量数据的解读和CAE的设置精度都会提高。