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电力工程

反激式转换器 模拟器

AC适配器和智能手机充电器内部最简单的隔离型DC-DC转换器设计工具。改变输入电压、占空比和匝数比,即可实时获得输出电压、一次侧峰值电流和边界模式下的一次电感。

参数设置
输入电压 V_in
V
整流、平滑后的一次侧DC总线电压
占空比 D
一个开关周期内导通时间的比例
匝数比 N_p:N_s(n = N_p/N_s)
一次绕组匝数 ÷ 二次绕组匝数
开关频率 f_sw
kHz
开关重复导通/截止的频率
输出功率 P_out
W
供应给负载的功率(假设无损耗)
计算结果
输出电压 V_out (V)
输出电流 I_out (A)
一次侧峰值电流 I_pk (A)
一次电感 L_p (µH)
储存能量 (mJ/cycle)
工作模式
反激式电路图 — 开关工作动作

开关导通时一次绕组存储能量(一次电流上升),断开时二次绕组向输出释放能量(二次电流下降)。点号符号标记了一次绕组和二次绕组的耦合方向。

输出电压 vs 占空比 D
输出电压 vs 匝数比 n
理论和主要公式

$$V_{out}=V_{in}\cdot\frac{D}{1-D}\cdot\frac{N_s}{N_p}$$

连续导通模式(CCM)下的理想输出电压。D:占空比,N_p/N_s = n:匝数比。通过占空比和匝数比这两个参数可以决定输出电压。

$$L_p=\frac{(V_{in}D)^{2}}{2\,P_{out}\,f_{sw}},\qquad I_{pk}=\frac{2\,P_{out}}{V_{in}D}$$

边界模式(CCM/DCM边界)的一次电感 L_p 和一次侧峰值电流 I_pk。f_sw:开关频率,P_out:输出功率。

$$E_{cycle}=\frac{P_{out}}{f_{sw}}=\tfrac{1}{2}L_p I_{pk}^{2}$$

能量在导通时间内存储在耦合电感中,在断开时间内释放。每个开关周期储存的能量等于输出功率除以开关频率。

什么是反激式转换器

🙋
第一次听说"反激式转换器"。说是智能手机充电器里的电路,这是真的吗?
🎓
真的。世界上大多数小型AC适配器、智能手机充电器和待机电源都是反激式转换器。这是"隔离型DC-DC转换器"中最简单的电路,部件数少、成本低。所以在5W~100W左右的小型电源中有压倒性的市场份额。
🙋
里面有变压器,对吧?和普通变压器有什么区别吗?
🎓
好问题。外观是变压器,但内部是"耦合电感",也就是磁耦合的两个线圈。普通变压器的输入和输出同时流动电流,能量直接通过。但反激式不同。开关导通期间,输入电压驱动一次绕组产生上升的电流,能量"储存"在磁芯的气隙中。开关断开时,磁场崩溃,储存的能量从二次绕组"释放"到输出电容和负载。存储、释放,这样反复进行。
🙋
明白了,能量存储一次再释放。那"隔离"是什么意思呢?左边电路图中一次和二次分开画的。
🎓
这就是反激式最重要的地方。一次绕组和二次绕组只在磁上耦合,电气上完全分离。这叫做"伽瓦尼隔离"。和商用100V或200V相连的一次侧和人手能接触的二次侧在电气上隔离,所以能做出安全的不触电电源。而且只需多加一个二次绕组,就能以极低成本增加隔离输出。需要多个电压的设备就靠这个了。
🙋
输出电压怎么决定的?左边可以同时调占空比 D 和匝数比 n。
🎓
对,有两个旋钮是反激式的便利之处。输出电压由 V_out = V_in·D/((1−D)·n) 决定。用匝数比设定大致的电压比,用占空比进行微调和反馈控制,这是标准做法。比如要从100V输入得到5V输出,就用较大的匝数比一下子降压,占空比保在0.4左右稳定工作。左边的曲线显示 D 或 n 变化时输出电压如何变化,一目了然。
🙋
结果里有"工作模式",CCM和DCM是什么?
🎓
开关断开期间,线圈的能量是否完全释放的区别。完全释放后下一个周期才开始的叫DCM(不连续导通模式),还没释放完就开始的叫CCM(连续导通模式)。这个工具计算的"边界模式",就是刚好释放完的瞬间下一个周期开始的设计点的一次电感 L_p。实际中以边界模式作为设计基准点,再向CCM或DCM方向微调特性。

常见问题

在连续导通模式(CCM)的理想公式中,输出电压由 V_out = V_in·D/((1−D)·n) 决定。D 是占空比,n 是匝数比 N_p/N_s。与降压转换器不同,反激式转换器可以用占空比 D 和匝数比 n 这两个独立的"旋钮"来调整输出电压。例如,输入100V、D=0.4、n=5时,V_out=100·0.4/(0.6·5)=13.3V。通常的设计方法是用匝数比来设定大致的电压比,用占空比进行微调和反馈控制。
连续导通模式(CCM)和不连续导通模式(DCM)的精确边界处的一次电感可通过 L_p = (V_in·D)²/(2·P_out·f_sw) 求得。f_sw 是开关频率。当电感值为此值时,转换器在边界模式(CCM和DCM的分界线)工作。选择更小的电感值会偏向DCM,选择更大的值会偏向CCM。边界模式的值是设计的参考点,本工具以微亨利为单位显示此 L_p 值。
边界模式下的一次侧峰值电流由 I_pk = 2·P_out/(V_in·D) 决定。此峰值电流直接影响开关(MOSFET)的电流额定值、磁芯的饱和特性以及绕线的发热。峰值电流越大,所需的部件越昂贵且体积越大,磁芯饱和会导致电感急剧下降,电流失控。输入电压越低、占空比越小,峰值电流越大,因此低输入电压工况是反激式设计的严苛条件。
反激式转换器中,一次绕组和二次绕组仅通过磁耦合相连,在电气上完全断开。这被称为电气隔离(伽瓦尼隔离)。开关导通期间,一次绕组中的电流由输入电压驱动,将能量存储在磁芯的气隙中。开关断开时,磁场崩溃,二次绕组将储存的能量释放到输出。由于不存在直流导通路径,输入端(商用电源侧)和输出端(用户接触侧)在电气上隔离,符合安全标准。此外,只需增加二次绕组就能以极低成本获得多个隔离输出。

现实应用

AC适配器·USB充电器:笔记本电脑的AC适配器、智能手机充电器、各种设备的配套电源几乎都是反激式转换器。将商用AC100/200V整流、平滑为数十~400V的一次侧DC总线,用反激式转换为5V、12V、20V等隔离的低压输出。因部件数少、成本低,在5W~100W的小型电源中占有压倒性份额。支持USB PD的充电器固定匝数比,通过占空比反馈控制来改变输出电压。

设备待机电源:电视、微波炉、空调等待机电源采用轻负荷下仍高效的反激式。遥控待机电路、微控制器供电等几W功率应用采用偏向不连续导通模式(DCM)的设计来获得轻负荷效率。近年受待机功耗限制,结合脉冲模式控制,待机消费电功能降至0.1W以下是主流。

工业设备辅助电源:逆变器、PLC、伺服驱动器等内部中,从主电路高压DC总线产生控制电路用的±15V、5V等辅助电源普遍采用反激式。只需增加二次绕组就能得到隔离的多路输出,低成本构成栅极驱动隔离电源。适应宽范围输入电压(宽范围输入)也是反激式的强点。

电源设计的事前检讨和教育:详细的SPICE仿真和样机制作前,用本工具的理想公式概算"输出电压、峰值电流、一次电感大概是多少"。以边界模式的 L_p 为基准点,估算磁芯尺寸和开关额定值,再进入详细设计。反过来,SPICE结果与此概算相差数倍的话,怀疑匝数比或占空比输入有误时用来检查的工具。

常见误解和注意事项

首先是大误解:"反激式的变压器和普通变压器一样"。反激式的"变压器"其实是能暂存能量的耦合电感,不是素通能量的通常变压器。因此磁芯中设有气隙,使其能储存能量不饱和。没有气隙的磁芯会在一次侧峰值电流时立即磁饱和,电感急剧下降,电流失控,开关被破坏。本工具计算的边界模式的一次电感 L_p 是此磁芯设计的起点。

其次是误解:"理想公式的输出电压直接相信"。本工具的 V_out = V_in·D/((1−D)·n) 是假设无损耗、理想耦合的公式。现实中存在一次、二次绕组的漏电感、绕线电阻、二极管的正向压降、开关的导通电阻等,输出电压比理想值低。特别是低输出电压(5V以下)时,二极管的0.5~1V压降不能忽视。漏电感在开关断开时产生高压尖峰,不用钳位电路吸收的话开关会被破坏。理想公式只是"概算",最终设计必须加入损耗和寄生成分。

最后是误解:"占空比越大越好"。看输出电压公式,D接近1时 V_out 增大,但实际中避免设计 D>0.7。原因是:(1) 开关断开时一次绕组的电压会随占空比上升而增加,超过开关耐压,(2) 从二次反射的电压(反射电压)增大,(3) 控制稳定性恶化。一般反激式设计在 D=0.3~0.5,用匝数比稳赚大部分电压比。占空比只作为反馈控制的"余量"预留,是标准做法。

使用指南

  1. 设置输入电压(12V~48V)、占空比(10%~80%)、一次匝数与二次匝数的比值、开关频率(50kHz~500kHz)、输出功率
  2. 模拟器自动计算输出电压、输出电流、一次侧峰值电流、一次电感、每周期储存能量
  3. 判定工作模式为连续导通(CCM)或不连续导通(DCM),确认设计条件,调整匝数比或L值

具体计算示例

假设输入电压24V、占空比40%、一次匝数:二次匝数=3:1、开关频率100kHz、输出功率24W。根据计算公式V_out=V_in×D'÷n(n=3、D'=0.6),输出电压为4.8V。输出电流I_out=24W÷4.8V=5A。一次侧峰值电流在L_p值为200µH时,I_pk=(24V×0.4)÷(200×10^-6÷100×10^3)=4.8A,储存能量为1.92mJ/cycle。100kHz频率下可以确保磁件的冷却余量。

实际应用注意事项

  1. DCM工作时轻负荷下输出电压上升,对于浮动电源应用(电机驱动IC供电等)必须反馈控制
  2. 一次峰值电流越大MOSFET损耗和共模辐射越多,100kHz以上频率下应将I_pk抑制在10A以下
  3. 一次电感应考虑磁芯饱和余量,按计算值的80%选择实装元件,通过气隙调整微调
  4. 二次整流二极管的反向恢复损失与开关频率成正比,200kHz以上应采用肖特基二极管(VFWD≈0.4V)