| # | hkl | d (Å) | 2θ (°) | B (°) | 強度 |
|---|
Bragg の法則:$2d_{hkl}\sin\theta = \lambda$
面間隔(立方晶):$$d_{hkl}=\frac{a}{\sqrt{h^2+k^2+l^2}}$$
Scherrer式:$$B = \frac{K\lambda}{L\cos\theta}$$(K=0.9)
結晶構造(FCC/BCC/SC/HCP/ダイヤモンド)とX線波長を選び、許容反射・d間隔・2θ・Scherrer幅をリアルタイム計算。回折パターンを可視化。
| # | hkl | d (Å) | 2θ (°) | B (°) | 強度 |
|---|
Bragg の法則:$2d_{hkl}\sin\theta = \lambda$
面間隔(立方晶):$$d_{hkl}=\frac{a}{\sqrt{h^2+k^2+l^2}}$$
Scherrer式:$$B = \frac{K\lambda}{L\cos\theta}$$(K=0.9)
新材料開発・同定:合成した未知の粉末試料のXRDパターンを測定し、データベースと照合したり、このツールのような計算結果と比較することで、物質の同定や結晶構造の確認を行います。例えば、新しい電池材料の純度評価に不可欠です。
ナノ材料の特性評価:Scherrer式を用いて、ナ粒子や薄膜の結晶子サイズを評価します。触媒材料では、粒子サイズが性能に直結するため、XRDによるサイズ測定は標準的な手法です。
残留応力測定:結晶に応力がかかると格子定数が変化し、回折ピークの角度がシフトします。このシフト量を精密に測定することで、材料内部の残留応力を非破壊で評価できます。溶接部の検査などで応用されます。
薄膜の構造解析:基板上に成長した薄膜の結晶方位や格子定数を評価します。半導体デバイス製造では、エピタキシャル成長した薄膜の品質管理にXRDが広く用いられています。
このツールを使い始めるとき、いくつかつまずきやすいポイントがあるから気をつけてね。まず「格子定数aと結晶子サイズLを混同する」ケース。格子定数は原子同士の距離(単位胞の大きさ)で、Å(オングストローム)単位。一方、結晶子サイズLは、単結晶のように秩序だった領域がどこまで続いているかの「広がり」で、通常はnm(ナノメートル)単位だ。例えば、格子定数が約3.6Åのアルミニウムでも、ナノ粒子ならLは10nm(=100Å)程度と、全く異なるスケールなんだ。
次に「Scherrer式は万能ではない」という点。ツールでLを小さくするとピーク幅が広がるのは確かだけど、実測の幅は「結晶子サイズ」以外にも、装置の分解能や結晶の歪み(ひずみ)の影響を強く受ける。だから、実験データからLを逆算する時は、装置関数の補正や、複数のピークから歪みの影響を分離する「Williamson-Hallプロット」といった手法が必要になることが多いよ。
最後に、「計算される2θは理想値」であることを忘れないで。実際の測定では、試料の吸収や表面の粗さ、オフセットなどでピーク位置が数0.1°ずれることはザラ。同定作業では、ピークの「相対的な位置関係のパターン」を重視しよう。例えばFCC構造で、計算上(111)ピークと(200)ピークの2θの比がどうなるか、といった大局的な見方を身につけることが実務では役立つんだ。
Fe-Feγ系鋼(FCC構造、a=3.65Å)にCuKα(λ=1.5406Å)を照射した場合、(111)面のd間隔は3.65/√3=2.108Åとなり、2θ=2arcsin(1.5406/2×2.108)≈42.8°でピークが現れます。(200)面は2.108Åで2θ=50.9°、(220)面はd=1.291Åで2θ=73.2°に出現。粒子サイズ50nmの場合、ピーク幅B≈0.15°となり、Scherrer定数K=0.9を用いた計算と一致します。