電磁気解析 — パワエレ
パワーエレクトロニクス分野の電磁解析は、スイッチング素子の高速化に伴う寄生インダクタンス・寄生容量の影響評価が中心です。素子が理想スイッチに近づくほど、性能を決めるのは素子ではなく実装(バスバー、基板レイアウト、ゲート配線)になります。数十nHの寄生インダクタンスがサージ電圧やリンギングを生み、損失とEMCノイズを悪化させるため、レイアウトの電磁解析が設計の主戦場です。
収録記事「WBGデバイス(SiC/GaN)シミュレーション」では、ワイドバンドギャップ半導体の高速スイッチング(dv/dt数十kV/μs)がもたらす寄生振動・コモンモードノイズの解析と、デバイスモデル+回路+電磁界の協調シミュレーションの組み立て方を解説しています。Si時代の設計マージンが通用しない領域です。