辐射模型 — CAE术语解说

主要模型按用途分类。DO法（离散坐标法）可用于任何光学厚度，汎用性最高。P1法计算速度快，适合光学厚系统（燃烧炉内）。Surface-to-Surface（S2S）模型忽略气体吸收和散射，仅处理面间辐射，适合电子设备冷却。选错用途会产生很大误差。

角度离散化（theta/phi方向离散化数）影响精度。默认的2×2离散化精度不如4×4，但计算成本也会增加。此外，气体吸收系数模型（如加权和灰气体模型）的选择也很重要。在FLUENT中可以选择灰气体近似或谱分解。

在钢铁加热炉和石油精炼的管式加热炉中，辐射是主导热传递方式，对壁面温度和炉内温度分布的预测至关重要。另一方面，在电子设备PCB上，LED和发热IC放出的辐射热会导致相邻器件温度上升，因此越来越多的设计分析使用S2S模型计算面间辐射。

收敛在技术上比较困难。辐射计算是非线性的（T⁴依赖），收敛较慢。在FLUENT中，将欠松弛因子设为0.8～0.9有利于稳定计算。特别是在高温强辐射系统中，计算容易发散，需要设置合理的初始温度场，逐步收敛。

• 辐射
• DO法（离散坐标法）
• P1法
• 视角因子
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