質量拡散シミュレーター 戻る EN · ZH
Diffusion Simulator

質量拡散・フィックの法則シミュレーター

拡散係数・スラブ厚さ・境界条件を設定して濃度プロファイルの時間発展を可視化。浸炭・水素脆化・酸化解析に対応。

パラメータ設定
材料Presets
拡散係数 D [m²/s] 2.00e-11
10⁻¹⁴ ~ 10⁻⁸ m²/s(対数スケール)
スラブ厚さ L [mm] 5.0 mm
表面濃度 C_s / C₀
初期濃度比 C₀/C_s 0.00
表示時刻数 5
最大時間 t_max [h] 10.0 h
初期濃度プロファイル
チャートをクリックして初期濃度分布の点を設定できます。クリックした位置に濃度ポイントが追加され、線形補間されます。
再生コントロール
0.00 s
濃度分布スナップショット
拡散長 √(Dt) [μm]
浸透深さ (C/Cs=0.1) [μm]
平均濃度 C̄/Cs
表面フラックス J₀ [mol/m²s]
50%到達時間 [h]

Theory

フィックの第2法則(拡散方程式):

$$\frac{\partial C}{\partial t} = D \frac{\partial^2 C}{\partial x^2}$$

半無限体解(erfc):

$$\frac{C - C_0}{C_s - C_0} = \text{erfc}\!\left(\frac{x}{2\sqrt{Dt}}\right)$$

有限スラブ解(フーリエ級数):

$$\frac{C - C_0}{C_s - C_0} = 1 - \sum_{n=0}^{\infty} \frac{4(-1)^n}{(2n+1)\pi} \exp\!\left(-\frac{(2n+1)^2\pi^2 Dt}{4L^2}\right)\cos\!\left(\frac{(2n+1)\pi x}{2L}\right)$$

表面フラックス:$J_0 = -D\left.\dfrac{\partial C}{\partial x}\right|_{x=0} = (C_s-C_0)\sqrt{\dfrac{D}{\pi t}}$

CAE Applications: 浸炭・窒化熱処理の深さ設計 / 水素脆化・遅れ破壊の水素濃度評価 / 酸化皮膜成長解析(Ti-6Al-4V等)。ABAQUS・COMSOLの質量拡散ソルバー検証の手計算ベンチマークとしても利用可能。

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