回路パラメータ
コンバータ種類
入力電圧 Vin
12.0 V
出力電圧 Vout
5.0 V
スイッチング周波数
100 kHz
インダクタンス L
100 μH
コンデンサ C
100 μF
負荷抵抗 R
10.0 Ω
インダクタ電流波形（5サイクル）
CCM
—
デューティ比 D
—
IL平均値 (A)
—
IL リプル (A)
—
Vc リプル (mV)
—
推定効率 η
—
出力電力 (W)
理論メモ
Buck: $D = V_{out}/V_{in}$， $\Delta i_L = \frac{(V_{in}-V_{out})D}{fL}$， $\Delta V_C = \frac{\Delta i_L}{8fC}$
Boost: $D = 1 - V_{in}/V_{out}$， $\Delta i_L = \frac{V_{in} D}{fL}$
CCM境界： $L_{crit} = \frac{(1-D)^2 R}{2f}$ → $L < L_{crit}$ でDCMへ移行
設計メモ： 電流リプル率ΔiL/IL_avg ≤ 30% を目安にLを選定。スイッチング損失 P_sw ≈ 0.5×Coss×Vin²×f はMOSFET寄生容量Cossと周波数に比例して増大。高周波設計ではGaN/SiCデバイスが有利。