真空透磁率 μ₀ = 4π × 10⁻⁷ T·m/A を使用。直線電流の磁場は右ねじ則による円形磁力線、ソレノイドは内部で軸方向に一様。
左:直線電流(赤●=紙面外向き)周囲の同心円形磁力線/黄破線=距離 r の観測円/橙矢印=磁場方向。右:ソレノイド断面(青楕円=巻線、内部の橙矢印=一様磁場 B = μ₀nI、外部はほぼゼロ)。
横軸=距離 r [cm](0.1〜100、log10)/縦軸=磁束密度 B [T](log10)/青線=B(r) = μ₀I/(2πr)(傾き −1)/黄点=現在の (r, B_wire)/橙破線=ソレノイド内部 B = μ₀nI の参照ライン。
アンペールの法則は、磁束密度 $\boldsymbol{B}$ の閉曲線 $C$ 周回積分が、$C$ で囲まれた面を貫く電流に比例することを示します:
$$\oint_C \boldsymbol{B} \cdot d\boldsymbol{\ell} = \mu_0\,I_{\mathrm{enc}}$$無限長直線電流(電流 $I$)が距離 $r$ に作る磁束密度:
$$B_{\mathrm{wire}}(r) = \frac{\mu_0\,I}{2\pi\,r}$$無限長ソレノイド(単位長あたり巻数 $n$)の内部磁場:
$$B_{\mathrm{sol}} = \mu_0\,n\,I$$平行電流間(電流 $I$、距離 $d$)の単位長あたりの力:
$$\frac{F}{L} = \frac{\mu_0\,I^2}{2\pi\,d}$$$\mu_0 = 4\pi \times 10^{-7}$ T·m/A は真空透磁率、$I$ は電流 [A]、$r$ は導線中心からの距離 [m]、$n$ は単位長さ巻数 [turns/m]、$d$ は平行導線間距離 [m]。