感度:$R = \frac{QE \cdot e \cdot \lambda}{h c}$
ショットノイズ:$i_{shot}= \sqrt{2eI_p \cdot BW}$
NEP:$NEP = \frac{\sqrt{4kT \cdot BW/R_L + 2eI_d \cdot BW}}{R}$
比検出率:$D^* = \frac{\sqrt{A \cdot BW}}{NEP}$
Si PD・InGaAs PD・APD・PMTの感度、光電流、ショットノイズ・熱雑音、SNR、NEP、比検出率D*をリアルタイム計算。波長vs感度特性グラフも表示。
感度:$R = \frac{QE \cdot e \cdot \lambda}{h c}$
ショットノイズ:$i_{shot}= \sqrt{2eI_p \cdot BW}$
NEP:$NEP = \frac{\sqrt{4kT \cdot BW/R_L + 2eI_d \cdot BW}}{R}$
比検出率:$D^* = \frac{\sqrt{A \cdot BW}}{NEP}$
光通信システム:高速光ファイバー通信では、微弱な光信号を高速で検出する必要があります。ここで計算する帯域幅とSNRの関係は、受信機の誤り率を決める重要なパラメータとなり、APDやPINフォトダイオードの選定に使われます。
環境計測・分光分析:大気中の微量ガスを検出するライダー(LiDAR)や、物質の組成を調べる分光器では、極めて微弱な散乱光や透過光を検出します。NEPやD*の値は、検出可能な最小濃度や感度を直接決定します。
バイオイメージング・医療機器:生体発光イメージングや共焦点顕微鏡では、生体組織からの微弱な蛍光を検出します。PMT(光電子増倍管)やAPDの増倍率と雑音のバランス(ここで計算するSNR)が、画像のコントラストと解像度を左右します。
量子技術・単一光子検出:量子暗号や量子計算では、単一光子レベルでの光検出が要求されます。この分野では、NEPが極めて小さく(10⁻¹⁶ W/√Hz以下)、暗電流が無視できるほど低い超電導検出器(SNSPD)などが、シミュレーターで扱うモデルの限界性能を追求する形で開発されています。
まず、「感度が高いから良いセンサー」と単純に考えがちですが、それは落とし穴です。例えば、感度Rが高いInGaAsフォトダイオードは近赤外で優れますが、可視光ではシリコンに劣ります。ツールで波長を変えながら感度を見ることで、「高感度」は特定の波長領域での話だと実感できます。次に、帯域幅BWを「応答速度」と関連付けて理解しましょう。10MHzの帯域幅なら、およそ35nsの応答時間に対応します。通信など高速用途では帯域幅を大きく設定しますが、その分ノイズも増大するトレードオフを、このシミュレーターで確認できます。最後に、暗電流Idは温度に敏感です。ツールの温度Tパラメータを室温(300K)から冷却時(例えば250K)に下げてみてください。NEPが大幅に改善されるはずです。実設計では、高性能を求めるほど冷却機構が必要になるというコストと性能のバランスを考えることになります。
Si系フォトダイオード(λ=850nm、responsivity=0.65A/W)に対し、入射光パワー10µW、測定帯域幅100kHzの条件で計算した場合:光電流Ip=6.5µA、ショット雑音i_shot=32.3pA/√Hz、NEP=49.7pW/√Hz、比検出率D*=2.8×10¹⁰ Jones、SNR=34.3dBが得られます。InGaAs APD(λ=1550nm、M=10の雪崩増倍)の場合、同条件でNEPは8.2pW/√Hzまで低減し、D*は1.1×10¹¹ Jonesに向上します。