膜电位与动作电位模拟器 返回 EN · ZH
Neurophysiology

膜电位、能斯特方程与动作电位模拟器

通过能斯特方程和GHK方程计算离子平衡电位与膜电位。用简化Hodgkin-Huxley模型实时模拟动作电位波形及阈值效应。

离子浓度与通透性
细胞类型
K⁺ 浓度 (mM)
[K]_in140 mM
[K]_out5 mM
Na⁺ 浓度 (mM)
[Na]_in12 mM
[Na]_out145 mM
Cl⁻ 浓度 (mM)
[Cl]_in4 mM
[Cl]_out120 mM
通透性比 P_Na/P_K0.040
通透性比 P_Cl/P_K0.100
温度 T37 °C
注入电流 I_stim10.0 μA/cm²
E_K [mV]
E_Na [mV]
E_Cl [mV]
静息膜电位 V_m [mV]
动作电位峰值 [mV]
动作电位持续时间 [ms]
阈值电流 [μA/cm²]
细胞膜示意图
动作电位波形 V_m(t)

理论公式

能斯特方程:$E_{ion} = \dfrac{RT}{zF} \ln\dfrac{[ion]_{out}}{[ion]_{in}}$

GHK方程(静息膜电位):

$$V_m = \frac{RT}{F}\ln\frac{P_K[K]_{out} + P_{Na}[Na]_{out} + P_{Cl}[Cl]_{in}}{P_K[K]_{in} + P_{Na}[Na]_{in} + P_{Cl}[Cl]_{out}}$$

H-H简化模型:$C_m\dfrac{dV}{dt} = -g_{Na}(V-E_{Na}) - g_K(V-E_K) - g_L(V-E_L) + I_{stim}$

神经工程与生物医学:深部脑刺激(DBS)刺激参数设计 / 人工耳蜗与视网膜植入体 / 膜片钳实验模型验证 / 心脏电生理与心律失常建模 / BCI神经接口。