共射放大器与射极跟随器有何区别？

共射(CE)放大器具有较大电压增益 Av = -gm(RC||RL)，且输出与输入相位相差180°。射极跟随器(CC)的电压增益约为+1，但输入阻抗高、输出阻抗低，非常适合作阻抗变换缓冲器（如ADC驱动）。共基(CB)放大器输入阻抗低（约1/gm），高频特性优异，无密勒效应，常用于宽带射频放大。

小信号跨导gm如何计算？

gm = IC/VT，其中IC为直流集电极电流，VT = kT/q ≈ 26 mV（室温）。例如IC = 1 mA时，gm = 1 mA / 26 mV ≈ 38.5 mA/V。较大的IC对应较大的gm，从而获得更高的电压增益。输入电阻 rπ = β/gm 决定了输入阻抗的大小。

射极旁路电容对放大器特性有何影响？

在射极电阻RE上并联旁路电容CE后，RE对交流信号呈短路状态，电压增益提升至 Av = -gmRC（最大值）。无旁路时增益为 Av = -gmRC/(1+gmRE)（较小）。旁路电容会引入低频极点 fL = 1/(2π×CE×RE)，导致低于该频率时增益下降。这是高增益与宽带宽之间的折衷。

厄利电压VA是什么？

厄利电压VA定义了BJT的输出电阻：ro = VA/IC。VA越大，输出电阻越高，晶体管越接近理想电流源。典型硅BJT的VA为50～200 V。在放大器中，ro与RC并联，较小的ro会降低有效负载电阻，限制高增益级的可达电压增益。

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AC Circuit Analysis

BJT放大器交流特性分析（CE / CB / CC）

基于小信号模型实时计算电压增益、输入输出阻抗和频率响应。对比显示共射、共基、射极跟随器三种组态的波特图。

参数设置

放大器组态

集电极电流 IC

β (hFE)

RC 集电极电阻

kΩ

RL 负载电阻

kΩ

RE 射极电阻

kΩ

偏置电阻 RB

kΩ

厄利电压 VA

RE旁路电容

计算结果

—

增益 Av [dB]

—

Zin [kΩ]

—

Zout [kΩ]

—

fL [Hz]

—

fH [kHz]

—

GBW [MHz]

波特图 — 电压增益 |Av| 与频率

理论与主要公式

$$g_m = \frac{I_C}{V_T},\quad r_\pi = \frac{\beta}{g_m},\quad r_o = \frac{V_A}{I_C}$$

CE：$A_v = -g_m(R_C\|R_L\|r_o)$，$Z_{in}= R_B\|r_\pi$，$Z_{out}\approx R_C\|r_o$

CB：$A_v = g_m\cdot R_C$，$Z_{in}= 1/g_m$，$Z_{out}\approx R_C$

CC：$A_v \approx +1$，$Z_{in}= R_B\|\beta R_E$，$Z_{out}\approx 1/g_m$

什么是BJT放大器交流特性分析（CE / CB / CC）？

BJT放大器交流特性分析（CE / CB / CC）用于把抽象公式、参数变化和可视化结果连接起来。通过移动滑块或输入数值，可以实时观察主要变量如何影响系统行为。

物理模型与关键公式

本工具围绕BJT放大器交流特性分析（CE / CB / CC）的核心模型进行计算。使用时应同时关注输入参数、单位和边界条件，避免只凭单个结果数值作判断。

实际应用场景

BJT放大器交流特性分析（CE / CB / CC）可用于教学演示、工程初步估算、参数灵敏度分析和方案比较。在进入更完整的CAE或实验验证前，它能帮助快速把握数量级与趋势。

常见误解与注意事项

模拟结果是理想化模型下的估算，实际工程还需要考虑材料离散性、环境条件、测量误差和安全系数。请结合公式含义与图表趋势综合判断。

BJT放大器交流特性分析（CE / CB / CC）

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