パラメータ設定
VCC 電源電圧
12.0 V
R1
47.0 kΩ
R2
10.0 kΩ
RC コレクタ抵抗
3.3 kΩ
RE エミッタ抵抗
1.0 kΩ
β (hFE)
100
安定係数 S = dIC/dICO
—
IC [mA]
—
VCE [V]
—
VB [V]
—
安定係数 S
回路図
IC-VCE 特性 + 負荷線
電圧分割バイアス設計式
$$V_B = V_{CC}\cdot\frac{R_2}{R_1+R_2}, \quad V_E = V_B - V_{BE}$$ $$I_C \approx I_E = \frac{V_E}{R_E}, \quad V_{CE} = V_{CC} - I_C(R_C+R_E)$$安定係数：$S = \dfrac{1+\beta}{1+\beta \cdot \dfrac{R_E}{R_B+R_E}}$， $R_B = R_1\|R_2$
設計指針： 良好なバイアス安定性には $R_B \leq 0.1\times\beta\times R_E$（ステレオタイプ条件）を満たすことが推奨されます。電圧分割バイアスのS値は理想で1に近く、固定バイアスではS ≈ 1+β と大きく温度変動に弱いです。