入力設定
コモンエミッタ動作
電源 VCC=12V、直流動作点は VCC/2=6V。電圧利得は Av = −gm·RC（gm=IC/VT、VT≈26mV）。出力は入力に対して180°反転し、振幅が電源レール（0V／12V）を超えると飽和・遮断によりクリップします。
一時停止中はスライダーを動かすと結果が即座に更新されます。
リアルタイム波形 — 入力Vinが反転増幅され出力Voutへ（レールでクリップ）
理論・主要公式
$$g_m = \frac{I_C}{V_T},\quad A_v = -g_m R_C,\quad v_{out}=\frac{V_{CC}}{2} + A_v\,v_{in}$$
CE（コモンエミッタ）: 出力は入力に対して180°反転（Av<0）。振幅が電源レール（0〜VCC）を超えると、上側は遮断・下側は飽和でクリップします。
gm=IC/VT なので、ICやRCを大きくすると利得が増加し、よりクリップしやすくなります。
BJTアンプ（CE / CB / CC）交流特性解析とは
🙋
BJTアンプって、CEとかCBとかCCって種類があるけど、何がどう違うんですか？シミュレーターで見た目も変わるんですか？
🎓
大まかに言うと、信号の「入り口」と「出口」をどこにするかで3種類に分かれるんだ。コモンエミッタ(CE)は一番基本的な電圧増幅で、上のシミュレーターで「CE」を選ぶと、電圧利得がマイナス、つまり位相が反転するのがグラフで確認できるよ。パラメータの「コレクタ電流 Ic」をスライダーで増やしてみると、利得がどう変わるか確認してみて。
🙋
え、Icを大きくすると利得が上がりました！でも、コモンコレクタ(CC)に切り替えると、利得がほぼ1でほとんど増幅してないみたいです。これって役に立つんですか？
🎓
良いところに気がついたね。CC（エミッタフォロワ）は電圧は増幅しないけど、その代わり「インピーダンス変換」が得意なんだ。右側の「入出力インピーダンス」の値を確認してみて。入力インピーダンスは高く、出力インピーダンスは低くなってるだろう？これがバッファとしての役割で、実務ではセンサーの信号をADC（アナログ-デジタル変換器）に繋ぐ前段などでよく使われるよ。
🙋
なるほど！じゃあCBは？周波数特性のグラフ（ボード線図）が他のとちょっと形が違う気がします。高周波で利得が落ちにくい？
🎓
その通り！コモンベース(CB)は高周波特性に優れているんだ。これは「ミラー効果」の影響が小さいからで、RF（無線周波数）アンプなど広帯域が必要な場面で活躍する。シミュレーターで「CB」を選んだ状態で、パラメータの「RE エミッタ抵抗」をゼロに近づけてみて。入力インピーダンスが非常に低くなるのがわかる。この低インピーダンス特性が、アンテナなどの低インピーダンス源との整合を取りやすくするんだ。
よくある質問
主な違いは入力端子と出力端子です。コモンエミッタはベース入力・コレクタ出力で電圧利得が大きく、反転します。コモンベースはエミッタ入力・コレクタ出力で高周波特性に優れ、非反転です。エミッタフォロワはベース入力・エミッタ出力で電圧利得は約1倍、高い入力インピーダンスと低い出力インピーダンスを持ちます。
低域では結合コンデンサやバイパスコンデンサのインピーダンスが増加し、信号が減衰するため利得が低下します。高域ではトランジスタの寄生容量（Cbe, Cbc）や配線容量による影響で利得が低下します。このツールではこれらのカットオフ周波数をリアルタイムで確認できます。
画面上部のパラメータ表示欄に、各回路構成ごとの入力インピーダンスZinと出力インピーダンスZoutが数値で表示されます。また、周波数特性グラフ上でインピーダンスの変化を確認することも可能です。これらの値はバイアス条件や抵抗値の変更に応じて自動更新されます。
まず、直流バイアス点（Ic, Vce）が適切かを確認してください。特にVceが飽和領域や遮断領域に近いと小信号モデルが成立しません。また、このツールは理想的な小信号モデルを使用しているため、実際のトランジスタの寄生効果や温度特性、部品公差は考慮されていません。実測との差異はこれらが原因であることが多いです。
実世界での応用
オーディオ増幅器の前段：コモンエミッタ(CE)アンプは、マイクロフォンなどからの微小信号を最初に増幅する電圧増幅段として広く用いられます。その大きな電圧利得と、適度な入出力インピーダンスが利用されます。
インピーダンスバッファ（ADCドライバ）：コモンコレクタ(CC)アンプ（エミッタフォロワ）は、高インピーダンスのセンサー回路と、低インピーダンスを要求するアナログ-デジタル変換器(ADC)の間に入れ、信号をロスなく伝えるためのバッファとして必須の回路です。
RF（無線周波数）増幅器：コモンベース(CB)アンプは、その優れた高周波特性と低入力インピーダンスから、アンテナ入力段などGHz帯の高周波増幅に適しています。低ノイズアンプ(LNA)の構成にも用いられます。
差動増幅器の構成要素：CEアンプは、オペアンプなどの内部回路を構成する差動増幅器の片側（トランジスタ対）として使用されます。IC内部のアナログ回路設計では基本ブロックです。
よくある誤解と注意点
シミュレーターを使い始めるときに、いくつかつまずきやすいポイントがあるよ。まず「小信号解析」の前提条件を忘れないこと。このツールが計算しているのは、あくまで適切な直流バイアス点が設定されていることが大前提。例えば、コレクタ抵抗RCが大きすぎると、バイアス点が飽和領域に入ってしまい、この交流解析は成り立たなくなる。シミュレーター上でRCを極端に大きくして、電圧利得が理論値から大きく外れるのはそのためだ。
次に、パラメータの現実的な範囲を知ること。例えば、コレクタ電流Icを1mAから10mAに上げると利得は確かに増えるけど、実際の回路では発熱や電力消費が無視できなくなる。また、電流増幅率βは部品ごとにバラつく（例えば2SC1815でhFE=70〜700）。シミュレーションでは一つの値で計算するけど、実設計では「最低値でも動作するか」を必ず確認しよう。
最後に、シミュレーション結果と実測のギャップを理解しておこう。ツールの計算は理想的な集中定数モデルに基づいている。実際の基板では、配線の寄生インダクタンスや浮遊容量が高周波特性を劣化させる。例えば、1MHzで平坦だったボード線図も、実機では数百kHzから落ち始めることがある。シミュレーションは「理想に近い挙動」を理解するための第一歩と捉えよう。