半导体工艺仿真器

使用 Preston 方程 RR = K_p·P·v 计算半导体 CMP 化学机械抛光的去除率。调节抛光垫压力、相对速度、研磨液与被抛光材料（SiO₂/Cu/W/poly-Si/Low-k），即时查看去除量、片内不均匀性 WIWNU、产能与单片成本，工艺设计模拟器。

半导体晶圆 CMP（化学机械抛光）模拟器：根据载荷、晶圆尺寸、压盘转速、保持环压力与抛光浆流量，实时计算 Preston 去除速率 MRR=Kp·P·V、边缘过压、WIWNU 均匀性与预估良率，适用于 200/300/450mm 与 SiO2/W/Cu/Co 工艺。

反应离子刻蚀（RIE）在线模拟器：根据刻蚀气体、被刻蚀膜、等离子源功率、偏置功率、压力、流量与时间，实时计算刻蚀速率、选择比、各向异性度、刻蚀深度、掩膜消耗与深宽比，帮助设计 SiO₂/Si/poly-Si/Al 的各向异性图形化工艺配方。

半导体晶圆良率模拟器：用 Poisson、Murphy、Seeds（负二项分布）与 Bose-Einstein 四种模型对比计算。输入 die 面积、缺陷密度 D₀、关键层数、设计规则 (CD) 与晶圆直径，即可实时得到 A·D、良率 Y、每片晶圆 die 数与单颗良品成本。。

半导体封装中引线键合（Au/Al/Cu/Pd-Cu 线）拉力测试强度的实时计算工具。通过调整引线材料、直径、弧高、键合温度与超声功率，可即时查看 MIL-STD-883 标准下的品质裕度与弧角灵敏度，辅助进行封装可靠性的早期设计。模拟器。