半導体プロセスシミュレーター

半導体プロセスの CMP（化学機械研磨）の除去率を Preston 式 RR = K_p·P·v で計算。パッド圧力・相対速度・スラリー・被研磨材料・処理時間を変えて、SiO₂・Cu・W・poly-Si・Low-k の除去量と WIWNU、スループット、コストを設計できる無料シミュレーターです。

半導体ウェハ CMP（化学機械研磨）の平均圧力・相対速度・除去レート（Preston 式 MRR=Kp·P·V）と WIWNU 不均一性、推定歩留りを実時間で計算。ウェハサイズ、荷重、パッド、リテーナーリング圧、回転、スラリー、プロセスを変えて 300mm GAA 3nm までの研磨レシピを設計できる無料シミュレーターです。

ドライエッチング（RIE）の選択比・異方性度・エッチ深さ・マスク消費・アスペクト比を、ガス種・被エッチ膜・プラズマパワー・バイアス・圧力・流量・時間から計算。SiO₂/Si/poly-Si/Alの異方性パターニングを設計できる無料シミュレーター。

半導体ウェーハの歩留 (Yield) を Poisson・Murphy・Seeds (Negative Binomial)・Bose-Einstein の4モデルで計算。ダイサイズ・欠陥密度 D₀・クリティカル層数・設計ルール (CD)・ウェーハ径からダイ数・良品単価を試算できる無料シミュレーター。

半導体パッケージのワイヤボンディング（Au/Al/Cu/Pd-Cu線）に対するプル試験強度をリアルタイム計算。ワイヤ材料・径・ループ高さ・温度・超音波出力を変えて、MIL-STD-883 基準を満たすボンド設計をシミュレーションできる無料ツール。