电磁分析 — EMC — 文章目录
EMC（电磁兼容）分析是在设计阶段评价设备发出的噪声（发射）和对外来噪声的耐受性（抗扰度）的领域。实机EMC试验需要预约认证试验场并制作样机，一旦不合格，设计返工就以月计，因此用仿真事先预测的回报非常大。找出电缆、机壳开口、电路板谐振等哪里会形成意想不到的天线，是分析的本质。
《CISPR EMC规格与合规性仿真》一文讲解如何用仿真再现CISPR 11/32等规格规定的测量布置（3 m/10 m法、LISN），预测辐射发射是否符合规格。与规格限值比较时涉及远场换算和测量天线系数的处理，因此不是只算出电场就结束，这是实务的要点。
收录文章
- 车载EMC仿真
车载EMC仿真指南：涵盖CISPR 25发射规格、ISO 11452抗扰试验与屏蔽理论,结合FDTD、FEM及MTL线束建模指导高压电动汽车电磁兼容分析。 - 电缆间串扰分析 — MTL理论与实务仿真
电缆间串扰分析采用MTL理论和3D FEM实践。自动车线束长距离配线中的干扰预测和电磁干扰低减方法。 - CISPR EMC规格与合规性仿真
理解CISPR EMC规格的合规要求，通过仿真方法在设计阶段实现一致性评估。解说多规格对应和实际应用。 - 传导辐射发射分析
传导辐射发射分析的理论基础、数值计算方法到实际应用。详解EMC设计和噪声抑制所需的仿真技术与软件比较。 - EMI滤波器设计
在50 Ω源和负载之间计算了由100 μH电感和1 μF电容构成的LC滤波器（截止频率15.9 kHz）的插入损耗。150 kHz时为34 dB，理想情况下30 MHz时应增至125 dB， - ESD（静电放电）模拟
ESD静电放电模拟详解：涵盖HBM、MM、CDM与IEC试验模型、电流波形数学建模与地反弹机制,结合TVS钳制模型指导半导体IC静电防护设计分析。 - EMC接地·接合分析
EMC接地接合分析：涵盖单点与多点接地、接合阻抗、地环路与传输阻抗,结合FEM接地结构建模与阻抗频率扫描指导宽频带电磁兼容接地设计实践。 - 近场电磁耦合分析
从近场与远场的分界、走线间互感和感应电压讲解占设备内部噪声大部分的近场耦合。接地平面上的走线间距从0.2 mm加大到3 mm，感应电压从805 mV降到9 mV；与接地平面的距离影响也很大。 - PCB布局EMC分析
把电路板电流环路和电缆发出的辐射噪声估算为3 m外的电场。100 MHz、20 mA电流流过10 cm²的环路时为877 μV/m，超出家用设备限值150 μV/m达15 dB。 - 辐射发射分析
辐射发射分析的数值计算方法和仿真方案。网格划分、FEM/BEM辐射热分析的实务方法。机柜散热设计必备。 - 屏蔽效能（SE）解析
把电磁屏蔽的屏蔽效能（SE）分为吸收损耗、反射损耗和缝隙泄漏来讲解。计算铜、铝、钢板的趋肤深度和吸收损耗，并说明长10～100 mm的缝隙会使1 GHz的屏蔽效能降到3.5～23.5 dB，