磁阻传感器(AMR/GMR/TMR)

分类:电磁场分析 | 2026-09-30 改写
CAE visualization for magnetoresistive sensor theory - technical simulation diagram
磁阻传感器(AMR/GMR/TMR)

理论:磁场改变电阻的三种机理

概述

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我在选测量电机转角的传感器,霍尔元件、AMR、GMR、TMR候选太多,不知道有什么区别。

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霍尔元件是在磁场中产生电压的元件,另外三种是在磁场中电阻变化的“磁阻元件”。磁阻元件的电阻变化率越大输出越大,AMR为百分之几,GMR约10%,TMR超过100%。但变化率大不一定就好:可测磁场范围、温度特性、噪声、价格各不相同,从要测的磁场大小出发考虑最快。

三种方式

方式机理电阻变化率参考主要用途
AMR电阻随磁化方向与电流夹角变化百分之几电子罗盘、角度传感器
GMR散射随磁性层磁化方向是否一致而变化约10%车载转速传感器、早期磁头
TMR电子隧穿薄绝缘层的概率变化100%以上现代磁头、高灵敏度传感器

电阻变化率与电桥输出

$$ \mathrm{MR} = \frac{R_{max} - R_{min}}{R_{min}} $$
$$ V_{out} = V_b\,\frac{R_a - R_b}{R_a + R_b} = V_b\,\frac{\mathrm{MR}\;b}{2 + \mathrm{MR}}, \qquad b = \frac{B}{B_k}\ (|b| \le 1) $$

这是四个元件中两个电阻随磁场增大、两个减小排列的全桥输出。$V_b$ 为施加电压,$B_k$ 为输出线性变化的磁场范围的一半。变化率小时输出可近似为 $V_b\,\mathrm{MR}\,b/2$,但像TMR这样变化率大时,分母 $2+\mathrm{MR}$ 就起作用了。

Coffee Break 随笔闲谈

推动硬盘容量增长的发现

GMR于1988年由法国的费尔和德国的格林贝格尔分别独立发现,并因此获得2007年诺贝尔物理学奖:只需叠加几纳米厚的磁性层和非磁性层,电阻就会大幅变化。1997年前后开始用于硬盘读取磁头,使其能读出微小磁畴的弱磁场,记录密度迅速提高。后来被变化更大的TMR磁头取代,如今两者都广泛用于传感器领域。

算例

例1:全桥输出

以下是用于比较的假想参数。求5 V全桥在线性范围边缘(b = 1)的输出和灵敏度:

方式电阻变化率线性范围 B_k最大输出灵敏度地磁场0.05 mT时输出
AMR2.5%1 mT61.7 mV61.7 mV/mT3.1 mV
GMR10%5 mT238 mV47.6 mV/mT2.4 mV
TMR100%5 mT1.67 V333 mV/mT16.7 mV
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GMR的变化率是AMR的4倍,灵敏度却比AMR低。

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因为本例假设GMR的线性范围是AMR的5倍。灵敏度由“变化率÷范围”决定,能测较宽范围的元件每mT的输出就小。测地磁场这样的弱磁场选AMR或TMR,测几mT的磁铁磁场选范围宽的GMR或TMR,基本原则是按要测的磁场大小来选。TMR这样的大输出还能减小放大电路噪声的影响。

例2:用作电流传感器时的磁场

$$ B = \frac{\mu_0 I}{2\pi r} $$
电流距离2 mm距离5 mm
1 A0.10 mT0.04 mT
10 A1.0 mT0.40 mT
50 A5.0 mT2.0 mT

线性范围1 mT的AMR放在距导体2 mm处,10 A时就饱和。要测到50 A,就要把距离加大到5 mm以上,或选范围宽的元件。实际电路板中导体有一定宽度,附近其他导体的磁场也会叠加,所以要用磁场分析确认元件位置的磁场。

例3:为何接成电桥

设坡莫合金电阻温度系数约为0.3%/K,单个元件温度变1 K电阻变0.3%,变10 K则变3%。AMR的信号单侧只有约1.25%,温度变化会大于磁场信号。把四个元件置于相同温度接成电桥,温度引起的变化相互抵消,输出中只剩磁场引起的变化。

分析与设计注意事项

注意事项

  • 饱和与滞后:一旦受到强磁场,元件磁化方向可能被打乱使输出偏移。AMR用置位/复位机制恢复磁化方向。
  • 外部干扰磁场:附近电机、磁铁、其他导体的磁场会叠加,用差分布置或屏蔽抵消。
  • 磁场方向:磁阻元件对面内特定方向的磁场敏感,敏感方向常与霍尔元件不同,容易放错位置。
  • 分析模型:元件本身很小,磁场分析中通常求元件位置的磁场,再用特性公式换算为输出。
Coffee Break 随笔闲谈

“罗盘在车里失灵”

智能手机的电子罗盘用AMR或TMR测量地磁场(约0.05 mT)来确定方位,但装在车载支架上时方位可能偏移。支架磁铁和车身钢铁产生的磁场与地磁场相当甚至更大,叠加在一起。手机提示“请画8字”,就是通过旋转设备识别并扣除周围的恒定磁场。所测磁场越弱,精度越取决于对周围磁场的估计。

常见错误

错误与对策

错误后果对策
只按变化率选择范围不匹配而饱和按所测磁场大小选择
只用单个元件输出随温度漂移接成电桥
不考虑距导体的距离电流传感器饱和用 B = μ₀I/(2πr) 确认
忽略外部干扰磁场偏移误差差分布置、校准
搞错敏感方向几乎没有输出确认数据手册中的轴向
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我想自己试试电桥和霍尔元件的计算。

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可以用惠斯通电桥计算试算电桥输出,用霍尔效应模拟器试试霍尔效应。其他磁传感器可在霍尔效应传感器、磁通门磁力计、磁编码器和涡流传感器等文章中比较。

关联模拟器

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