超材料电磁分析
理论:把细小结构平均化的材料
概述
超材料折射率为负是什么原理?
折射率由介电常数与磁导率之积的平方根决定。普通材料两者都为正,但排列细金属线时电子可自由移动,在某频率以下与电场反向极化,介电常数为负。排列带缺口的小环(开口谐振环),在谐振稍上方的频率与磁场反向磁化,磁导率为负。两者同时为负的频率,平方根取负号才符合物理,折射率为负。结构远小于波长时,电磁波把它感受为均匀材料,可以用等效介电常数和磁导率处理。
等效磁导率与介电常数模型
F为开口环填充率(0.3),f₀为谐振频率(10 GHz),γ为损耗(相当于0.1 GHz),f_p为金属线阵列等离子频率(15 GHz)。折射率符号取使损耗衰减为正(Im n > 0)。
负值频带与品质因数
韦谢拉戈的预言
1968年,韦谢拉戈从理论上预言,若存在介电常数和磁导率都为负的材料,光会反向折射,表现出奇特性质。但自然界没有这种材料,长期被遗忘。1999年彭德里证明用开口谐振环可以实现负磁导率,2001年史密斯等人将其与金属线组合,在微波波段用实验证实了负折射。此后研究扩展到使电磁波绕过物体的隐身等方向。
算例
例:各频率下的等效参数与折射率(单元3 mm)
| 频率 | Re ε | Re μ | n | 品质因数 | 单元/波长 |
|---|---|---|---|---|---|
| 9.0 GHz | −1.78 | +2.28 | −0.02 + 2.01i | 0.0 | 0.090 |
| 10.2 GHz | −1.16 | −6.26 | −2.72 + 0.40i | 6.8 | 0.102 |
| 10.5 GHz | −1.04 | −2.19 | −1.51 + 0.12i | 12.7 | 0.105 |
| 11.0 GHz | −0.86 | −0.72 | −0.79 + 0.05i | 14.9 | 0.110 |
| 11.5 GHz | −0.70 | −0.23 | −0.40 + 0.04i | 10.0 | 0.115 |
| 12.5 GHz | −0.44 | +0.17 | −0.01 + 0.27i | 0.0 | 0.125 |
| 16.0 GHz | +0.12 | +0.51 | +0.25 + 0.00i | 61 | 0.160 |
9 GHz和12.5 GHz时只有介电常数为负,折射率几乎为纯虚数,波不能传播而衰减。磁导率为负的频带为10~11.95 GHz(无损耗时)。
谐振稍上方的10.2 GHz负折射率最大,品质因数却是11 GHz更高。
谐振附近磁导率变为很大的负值,但损耗(虚部)也同时变大。只看折射率大小10.2 GHz很诱人,但波在短距离内就衰减了。品质因数是折射率实部与虚部之比,可作为能传播几个波长的参考。本例在11 GHz附近约为15,最高。实际设计是在降低谐振器损耗(金属电阻和基板介质损耗)与让工作频率稍离开谐振之间权衡。另一个要注意的是单元只有波长的约十分之一,单元再大就不能视为等效材料,从反射和透射提取的等效参数会随入射角等变化。
分析流程
- 根据目标频带确定谐振频率和等离子频率。
- 用周期边界条件对单元做电磁场分析(FDTD或有限元)。
- 由反射和透射系数(S参数)提取等效介电常数和磁导率。
- 确认品质因数及单元与波长之比。
- 分析有限尺寸的整个样品,确认边缘影响和入射角依赖。
“提取的折射率随厚度变化”
某超材料分析中,由单层单元求得的等效折射率与三层叠加时求得的值相差很大。调查发现单元约为波长的五分之一,层间耦合强,单层的值并不代表等效材料的性质。把单元缩小到波长的十分之一左右后,改变层数等效参数也几乎不变。提取等效参数时,最好确认改变层数值不变。
常见错误
错误与对策
| 错误 | 后果 | 对策 |
|---|---|---|
| 单元过大 | 等效参数不确定 | 波长的1/10以下 |
| 平方根符号错 | 折射率符号相反 | 按Im n > 0选取 |
| 忽略损耗 | 高估性能 | 确认品质因数 |
| 只用单层提取 | 漏掉耦合影响 | 改变层数确认 |
| 只评估垂直入射 | 斜入射性质变化 | 改变入射角 |
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说明
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